兼容的PNP晶体管的基本构造是（ ）

耗尽区是高阻区（ ）

单位时间里，通过单位电流截面的电荷数是（ ）

• A.   电荷质量
• B.   电荷密度
• C.   电荷流量
• D.   电导率

芯片制造工艺的基本步骤包括（ ）

• A.   氧化
• B.   离子注入
• C.   腐蚀
• D.   扩散

互联网时代的特点有（ ）

• A.   数字信号处理
• B.   非实时性
• C.   微处理器
• D.   数字I/O

迁移率与材料的性质无关，与掺杂浓度有关（ ）

（ ）反映了MOS管的电流随漏极电压的增高而变大的客观事实

• A.   体效应
• B.   衬底效应
• C.   亚阈值效应
• D.   沟道长度调制效应

CMOS的特点包括（ ）

• A.   速度比较慢
• B.   低密度
• C.   低功耗
• D.   低成本

兼容的PNP晶体管的基本构造是（ ）

• A.   发射极（N阱）
• B.   发射极（P+注入物）
• C.   集电极（P型衬底）
• D.   集电极（N型衬底）

导体里面含有电子所以导电（ ）

在集成电路版图设计当中使用（ ），能很好的控制比值的准确性

• A.   参数复制法
• B.   有源器件
• C.   图形复制法
• D.   无源器件